5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > G11135-512DE
G11135-512DE PDF预览

G11135-512DE

更新时间： 2024-01-08 07:46:51
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 传感器换能器
页数 文件大小 规格书
10页 227K
描述
CMOS Sensor, Rectangular, Through Hole Mount, CERAMIC, 22 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

G11135-512DE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
其他特性：IT HAS SENSITIVITY 0.82 A/W阵列类型：LINEAR
主体宽度：15.1 mm主体长度或直径：31.8 mm
数据速率：5 Mbps动态范围：67.23 dB
外壳：CERAMIC安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
最大工作电流：80 mA最高工作温度：60 °C
最低工作温度：-10 °C输出类型：DIGITAL VOLTAGE
封装形状/形式：RECTANGULAR像素大小：25X25 µm
传感器/换能器类型：IMAGE SENSOR,CMOS最大供电电压：5.3 V
最小供电电压：4.7 V表面贴装：NO
端接类型：SOLDERBase Number Matches：1

G11135-512DE 数据手册

 浏览型号G11135-512DE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号G11135-512DE的Datasheet PDF文件第3页浏览型号G11135-512DE的Datasheet PDF文件第4页浏览型号G11135-512DE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号G11135-512DE的Datasheet PDF文件第6页浏览型号G11135-512DE的Datasheet PDF文件第7页 
InGaAs linear image sensors  
G11135-256DD, G11135-512DE  
Single video line (256/512 pixels)  
near infrared image sensor (0.95 to 1.7 μm)  
The G11135 series InGaAs linear image sensors designed for foreign object inspection equipment. These linear image sensors  
consist of an InGaAs photodiode array and CMOS chip that contains a charge amplifier array, an offset compensation circuit,  
a shift register, and a timing generator. The InGaAs photodiode array and the CMOS chip are electrically connected by indium  
bumps.  
The charge amplifier array is made up of CMOS transistors connected to each pixel of the InGaAs photodiode array.  
Signals from each pixel are read out in charge integration mode to achieve high sensitivity and stable operation in the near  
infrared spectral range.  
The signal processing circuit on the CMOS chip offers two levels of conversion efficiency (CE) that can be selected by the ex-  
ternal voltage to meet the application.  
Features  
Applications  
Single video line (256/512 pixels)  
High-speed data rate: 5 MHz max.  
Choice of two conversion efficiency levels  
Foreign object screening  
Agricultural product inspection  
Related products  
Pixel size: G11135-256DD (50 × 50 μm)  
G11135-512DE (25 × 25 μm)  
Driver circuit for InGaAs liner image sensor C11514  
Built-in temperature sensor  
Small variations in dark output between pixels  
Room temperature operation  
General ratings  
Parameter  
G11135-256DD  
G11135-512DE  
Unit  
Cooling  
Non-cooled  
-
Number of total pixels  
Number of effective pixels  
Image size  
Pixel size  
Pixel pitch  
256  
256  
12.8 × 0.05  
50 × 50  
50  
pixels  
pixels  
mm  
512  
512  
12.8 × 0.025  
25 × 25  
25  
μm (H) × μm (V)  
μm  
Package  
Window material  
22-pin ceramic (refer to the dimensional outline)  
Borosilicate glass with anti-reflective coating  
-
-
Cross sectional image  
InGaAs photodiode array  
Window  
CMOS chip  
Bump  
Wire bonding  
KMIRC0053EA  
1
www.hamamatsu.com  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与G11135-512DE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
G1115 HAMAMATSU

获取价格

 		GaAsP photodiode
G1116 HAMAMATSU

获取价格

 		GaAsP photodiode
G1116 GTM

获取价格

 		0.6A Low Dropout Positive Adjustable or Fixed-Mode Regulator
G1117 GMT

获取价格

 		1A Adjustable Low-Dropout Linear Regulator
G1117 HAMAMATSU

获取价格

 		GaAsP photodiode
G1117_15 GMT

获取价格

 		1A Adjustable Low-Dropout Linear Regulator
G1117-15T43U GMT

获取价格

 		1A Low-Dropout Linear Regulator
G1117-15T43UF GMT

获取价格

 		Regulator
G1117-15T63U GMT

获取价格

 		1A Low-Dropout Linear Regulator
G1117-15T63UF GMT

获取价格

 		Regulator

与G11135-512DE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证