FZT951

更新时间： 2024-11-15 22:48:51

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描述
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

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FZT951 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	3.85
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	3 W	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
VCEsat-Max：	0.46 V

FZT951 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

FZT951

FZT953

ISSUE 3 - APRIL 2000

FEATURES

5 Amps continuous current , up to 15 Amps peak current

Very low saturation voltages

Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps

P_tot= 3 watts

FZT951 exhibts extremely low equivalent on resistance;

R_CE(sat)55m at 4A

COMPLEMENTARY TYPES - FZT951 = FZT851

FZT953 = FZT853

PARTMARKING DETAILS -

DEVICE TYPE IN FULL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

FZT951

-100

FZT953

-140

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-60

-100

-6

Peak Pulse Current

-15

-10

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

-5

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +150

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum

3 - 279

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FZT951TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
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