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FZT949

更新时间： 2024-02-21 04:55:31

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	38K
描述
PNP Silicon Planar High Current (High Performance) Transistor

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FZT949 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.18
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.44 V	Base Number Matches：	1

FZT949 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Silicon Planar High Current

(High Performance) Transistor

FZT949

SOT-223

Unit: mm

Features

+0.2

3.50

-0.2

+0.2

6.50

-0.2

Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat).

6 Amps continuous current.

+0.2

0.90

-0.2

+0.1

3.00

-0.1

+0.3

7.00

-0.3

Up to 20 Amps peak current.

Very low saturation voltage.

Excellent hFE characteristics specified upto 20 Amps.

1 base

+0.1

0.70

-0.1

2.9

2 collector

3 emitter

4.6

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^CM

Rating

-50

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-30

-6

Continuous collector current

-20

Peak pulse current

-5.5

Power dissipation

Ptot

Operating and storage temperature range

T^j,Tstg

-55 to +150

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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