FZT749QTC

更新时间： 2024-09-16 13:01:07

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2页	90K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), PNP

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FZT749QTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	参考标准：	AEC-Q101
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	Base Number Matches：	1

FZT749QTC 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 4 - NOVEMBER 1995

FZT749

FEATURES

25 Volt V_CEO

3 Amp continuous current

Low saturation voltage

Excellent h_FEspecified up to 6A (pulsed).

COMPLEMENTARY TYPE

PARTMARKING DETAIL

FZT649

FZT749

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-35

-25

-5

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-8

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

I_C

-3

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

I_C=-100µA

Breakdown Voltages

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-35

-25

-5

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector Cut-Off

Currents

-0.1

-10

V_CB=-30V

µA

V_CB=-30V,T =100°C

I_EBO

-0.1

V_EB=4V

µA

Saturation Voltages

V_CE(sat)

-0.12

-0.40

-0.3

-0.6

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-3A, I_B=-300mA*

V_BE(sat)

V_BE(on)

-0.9

-0.8

-1.25

-1.0

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

Static Forward Current

Transfer Ratio

h_FE

100

200

150

I_C=-50mA, V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

I_C=-2A, V_CE=-2V*

I_C=-6A, V_CE=-2V*

300

100

Transition Frequency

f_T

100

160

MHz

I_C=-100mA, V_CE=-5V

f=100MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

t_on

V_CB=-10V f=1MHz

I_C=-500mA, V_CC=-10V

I_B1=I_B2=-50mA

t_off

450

*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 232

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