5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT749
FZT749 PDF预览

FZT749

更新时间： 2024-11-20 22:06:27
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管功率双极晶体管PC局域网
页数 文件大小 规格书
2页 89K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

FZT749 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.17
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A基于收集器的最大容量：100 pF
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：160 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

FZT749 数据手册

 浏览型号FZT749的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 4 - NOVEMBER 1995  
FZT749  
FEATURES  
*
*
*
*
25 Volt VCEO  
C
3 Amp continuous current  
Low saturation voltage  
Excellent hFE specified up to 6A (pulsed).  
E
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FZT649  
FZT749  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
-35  
-25  
-5  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
V
Peak Pulse Current  
-8  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
-3  
A
Ptot  
2
W
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
IC=-100µA  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-35  
-25  
-5  
V
V
V
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off  
Currents  
-0.1  
-10  
VCB=-30V  
µA  
µA  
VCB=-30V,T =100°C  
IEBO  
-0.1  
VEB=4V  
µA  
Saturation Voltages  
VCE(sat)  
-0.12  
-0.40  
-0.3  
-0.6  
V
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-3A, IB=-300mA*  
VBE(sat)  
VBE(on)  
-0.9  
-0.8  
-1.25  
-1.0  
V
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
70  
100  
75  
200  
200  
150  
50  
IC=-50mA, VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
IC=-6A, VCE=-2V*  
300  
100  
15  
Transition Frequency  
fT  
100  
160  
MHz  
IC=-100mA, VCE=-5V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cobo  
ton  
55  
pF  
ns  
ns  
VCB=-10V f=1MHz  
40  
IC=-500mA, VCC=-10V  
IB1=IB2=-50mA  
toff  
450  
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 232  
12

中文翻译

下载PDF

与FZT749相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZT749_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FZT749L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT749Q DIODES

获取价格

 		PNP, 25V, 3A, SOT223
FZT749QTA DIODES

获取价格

 		暂无描述
FZT749QTC DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), PNP
FZT749S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT749TA DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT749TA ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT749TC DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT749TC ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4

与FZT749相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证