FZT600BTC

更新时间： 2024-11-19 13:01:51

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	103K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FZT600BTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	5000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	1.2 V	Base Number Matches：	1

FZT600BTC 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM

POWER DARLINGTON TRANSISTOR

ISSUE 3 FEBRUARY 1997

FZT600

FEATURES

2A continuous current

140 VOLT V_CEO

Guaranteed h_FESpecified up to 1A

PART MARKING DETAIL

FZT600

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

160

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_CM

140

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation

I_C

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

MIN. TYP.

160

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)CBO

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

140

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

0.01

_CB=140V

µA

V_CB=140V, T_amb=100°C

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CES

V_CES=140V

V_EB=8V

µA

I_EBO

0.1

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.75

0.85

1.1

1.2

I_C=0.5A, I_B=5mA*

I_C=1A, I_B=10mA*

Base-Emitter Saturation Voltage V_BE(sat)

Base-Emitter Turn-On Voltage V_BE(on)

1.7

1.5

1.9

1.7

I_C=1A, I_B=10mA*

I_C=1A, V_CE=5V*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

h_FE

I_C=50mA, V_CE=10V*

I_C=0.5A, V_CE=10V*

I_C=1A, V_CE=10V*

100k

10k

20k

10k

I_C=50mA, V_CE=10V*

I_C=0.5mA, V_CE=10V*

I_C=1A, V_CE=10V*

GROUP B

Transition Frequency

f_T

150

250

MHz

I_C=100mA, V_CE=10V

f=20MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

T_on

MHz

µs

V_CB=10V, f=1MHz

0.75

2.20

I_C=0.5A, V_CE=10V

I_B1=I_B2=0.5mA

T_off

µs

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 197

中文翻译

下载PDF

与FZT600BTC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZT600TA	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT600TA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT600TC	DIODES	获取价格	暂无描述
FZT603	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
FZT603	DIODES	获取价格	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
FZT603Q	DIODES	获取价格	NPN, 80V, 2A, SOT223
FZT603QTA	DIODES	获取价格	暂无描述
FZT603TA	ZETEX	获取价格	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
FZT603TA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT603TC	DIODES	获取价格	2A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, SOT-223, 4 PIN

与FZT600BTC相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FZT600BTC

FZT600BTC 技术参数

FZT600BTC 数据手册

与FZT600BTC相关器件

与FZT600BTC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FZT600BTC

FZT600BTC 技术参数

FZT600BTC 数据手册

与FZT600BTC相关器件

与FZT600BTC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？