FZT600ATC

更新时间： 2024-11-06 13:07:55

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管局域网
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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FZT600ATC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.21	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	基于收集器的最大容量：	15 pF
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	VCEsat-Max：	1.2 V
Base Number Matches：	1

FZT600ATC 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM

POWER DARLINGTON TRANSISTOR

ISSUE 3 FEBRUARY 1997

FZT600

FEATURES

2A continuous current

140 VOLT V_CEO

Guaranteed h_FESpecified up to 1A

PART MARKING DETAIL

FZT600

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

160

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_CM

140

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation

I_C

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

MIN. TYP.

160

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)CBO

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

140

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

0.01

_CB=140V

µA

V_CB=140V, T_amb=100°C

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CES

V_CES=140V

V_EB=8V

µA

I_EBO

0.1

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

0.75

0.85

1.1

1.2

I_C=0.5A, I_B=5mA*

I_C=1A, I_B=10mA*

Base-Emitter Saturation Voltage V_BE(sat)

Base-Emitter Turn-On Voltage V_BE(on)

1.7

1.5

1.9

1.7

I_C=1A, I_B=10mA*

I_C=1A, V_CE=5V*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

h_FE

I_C=50mA, V_CE=10V*

I_C=0.5A, V_CE=10V*

I_C=1A, V_CE=10V*

100k

10k

20k

10k

I_C=50mA, V_CE=10V*

I_C=0.5mA, V_CE=10V*

I_C=1A, V_CE=10V*

GROUP B

Transition Frequency

f_T

150

250

MHz

I_C=100mA, V_CE=10V

f=20MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

T_on

MHz

µs

V_CB=10V, f=1MHz

0.75

2.20

I_C=0.5A, V_CE=10V

I_B1=I_B2=0.5mA

T_off

µs

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 197

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