5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT593TA
FZT593TA PDF预览

FZT593TA

更新时间： 2024-11-17 13:07:55
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
1页 44K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

FZT593TA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.16外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：5 pF
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

FZT593TA 数据手册

  
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
FZT593  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
✪
C
COMPLEMENTARY TO FZT493  
PARTMARKING DETAIL - FZT593  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-120  
V
V
-100  
-5  
V
Peak Pulse Current  
-2  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
-1  
-200  
A
IB  
mA  
W
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Ptot  
2
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
-120  
-100  
-5  
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
VCB=-100V  
VEB=-4V  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
Saturation Voltages  
-100 nA  
-100 nA  
-100 nA  
IEBO  
ICES  
VCES=-100V  
VCE(sat)  
-0.2  
-0.3  
V
V
IC=-250mA,IB=-25mA*  
IC=-500mA IB=-50mA*  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-1.1  
-1.0  
V
V
IC=-500mA,IB=-50mA*  
IC=-1mA, VCE=-5V*  
Base-Emitter Turn-on Voltage  
Static Forward Current Transfer  
Ratio  
100  
100  
IC=-1mA, VCE=-5V  
IC=-250mA,VCE=-5V*  
IC=-500mA, VCE=-5V*  
IC=-1A, VCE=-5V*  
100 300  
50  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
50  
MHz IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Cobo  
5
pF  
VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical Characteristics graphs see FMMT593 datasheet  
3 - 196  
1

中文翻译

下载PDF

与FZT593TA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZT593TC DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT600 DIODES

获取价格

 		SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
FZT600 ZETEX

获取价格

 		NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
FZT600A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-223
FZT600ATA DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT600ATA ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT600ATC ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
FZT600B DIODES

获取价格

 		NPN, 140V, 2A, SOT223
FZT600BQ DIODES

获取价格

 		NPN, 140V, 2A, SOT223
FZT600BTA DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

与FZT593TA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证