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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.07 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 10 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZT591TC | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| FZT591TC | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| FZT593 | DIODES |
获取价格 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| FZT593 | TYSEMI |
获取价格 |
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 |
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| FZT593 | KEXIN |
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PNP Silicon High Voltage Transistor |
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| FZT593 | ZETEX |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| FZT593TA | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| FZT593TC | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| FZT600 | DIODES |
获取价格 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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| FZT600 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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