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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT591ATC
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FZT591ATC

更新时间： 2024-09-15 13:07:55
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美台 - DIODES 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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FZT591ATC 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-223包装说明：SOT-223, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.11Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：300JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

FZT591ATC 数据手册

  
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FZT591  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
✪
C
E
COMPLEMENTARY TYPE FZT491  
PARTMARKING DETAIL - FZT591  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-80  
V
V
-60  
-5  
V
Peak Pulse Current  
-2  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
-1  
-200  
A
IB  
mA  
W
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Ptot  
2
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNITCONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO -80  
V(BR)CEO -60  
V(BR)EBO -5  
ICBO  
V
V
V
IC=-100µA, IE=0  
IC=-10mA, IB=0*  
IE=-100µA, IC=0  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
-100  
-100  
-100  
nA VCB=-60V  
IEBO  
nA VEB=-4V, IC=0  
nA VCES=-60V  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
Emitter Saturation Voltages  
ICES  
VCE(sat)  
-0.3  
-0.6  
V
V
IC=-500mA,IB=-50mA*  
IC=-1A, IB=-100mA*  
VBE(sat)  
VBE(on)  
-1.2  
-1.0  
V
V
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-1A, VCE=-5V*  
Base-Emitter Turn-on Voltage  
Static Forward Current Transfer  
Ratio  
hFE  
100  
100  
80  
IC=-1mA, VCE=-5V*  
IC=-500mA, VCE=-5V*  
IC=-1A, VCE=-5V*  
IC=-2A, VCE=-5V*  
300  
15  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
150  
MHz IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Cobo  
10  
pF VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical Characteristics graphs see FMMT591 datasheet  
3 - 195  
1

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FZT591ATC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FZT591ATA DIODES

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