FZT1151A

更新时间： 2024-09-16 10:22:55

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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FZT1151A 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 1 - JANUARY 1997

FZT1151A

FEATURES

V_CEO= -40V

3 Amp Continuous Current

5 Amp Pulse Current

Low saturation Voltage

High Gain

SOT223

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-45

-40

-5

-3

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

-500

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

†

P_tot

2.5

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +150

† The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on

a P.C.B. with copper equal to 2 inches x 2 inches

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FZT1151A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FZT790ATA	DIODES	功能相似	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT1151ATA	DIODES	功能相似	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
PBSS5350Z	NXP	功能相似	50 V low VCEsat PNP transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZT115-1A10	ETC	获取价格
FZT115-1A15	ETC	获取价格
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FZT1151ATA	DIODES	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT1151ATC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT115-2A10	ETC	获取价格
FZT115-2A15	ETC	获取价格
FZT115-2A25	ETC	获取价格
FZT115-3A10	ETC	获取价格
FZT115-3A15	ETC	获取价格