FXT690BSTOA

更新时间： 2024-11-23 13:07:55

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	50K
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN

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FXT690BSTOA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
最大关闭时间（toff）：	1300 ns	最大开启时间（吨）：	33 ns
Base Number Matches：	1

FXT690BSTOA 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 1 MAY 94

FXT690B

FEATURES

45 Volt V_CEO

Gain of 400 at I_C=1 Amp

Very low saturation voltage

APPLICATIONS

Darlington replacement

Siren Drivers

Battery powered circuits

Motor drivers

E-Line

TO92 Compatible

REFER TO ZTX690B FOR GRAPHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

I_C

P_totp

P_tot

1.5

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

0.1

V_CB=35V

µA

I_EBO

V_EB=4V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

0.1

0.5

I_C=0.1A, I_B=0.5mA*

I_C=1A, I_B=5mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

0.9

I_C=1A, I_B=10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

0.9

IC=1A, V_CE=2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

500

400

150

I_C=100mA, V_CE=2V*

I_C=1A, V_CE=2V*

I_C=2A, V_CE=2V*

3-52

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FXT69SM	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,
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