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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FXT655STOE
FXT655STOE PDF预览

FXT655STOE

更新时间： 2024-11-19 13:07:55
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 29K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, E-LINE PACKAGE-3

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FXT655STOE 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.17
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

FXT655STOE 数据手册

  
NPN SILICON PLANAR  
FXT655  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 1 – FEB 94  
FEATURES  
*
*
*
*
150 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
Low saturation voltage  
Ptot= 1 Watt  
B
C
E
E-Line  
REFER TO ZTX655 FOR GRAPHS  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
150  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
150  
V
5
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipationat Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
1
1
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
150  
150  
5
V
IC=100µA, IE=0  
IC=10mA, IB=0*  
IE=100µA, IC=0  
VCB=125V, IE=0  
VEB=3V, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
100  
100  
nA  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
nA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
0.5  
0.5  
V
V
IC=500mA, IB=50mA*  
IC=1A, IB=200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
1.1  
V
IC=500mA, IB=50mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
1
V
IC=500mA, VCE=5V*  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
50  
50  
20  
IC=10mA, VCE=5V  
IC=500mA, VCE=5V*  
IC=1A, VCE=5V*  
Transition  
Frequency  
fT  
30  
MHz  
pF  
IC=10mA, VCE=20V  
f=20MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
20  
VCB=20V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3-49  
1

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