5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FXT655
FXT655 PDF预览

FXT655

更新时间： 2024-11-18 22:32:15
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 29K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

FXT655 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.17最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

FXT655 数据手册

  
NPN SILICON PLANAR  
FXT655  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 1 – FEB 94  
FEATURES  
*
*
*
*
150 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
Low saturation voltage  
Ptot= 1 Watt  
B
C
E
E-Line  
REFER TO ZTX655 FOR GRAPHS  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
150  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
150  
V
5
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipationat Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
1
1
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
150  
150  
5
V
IC=100µA, IE=0  
IC=10mA, IB=0*  
IE=100µA, IC=0  
VCB=125V, IE=0  
VEB=3V, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
100  
100  
nA  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
nA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
0.5  
0.5  
V
V
IC=500mA, IB=50mA*  
IC=1A, IB=200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
1.1  
V
IC=500mA, IB=50mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
1
V
IC=500mA, VCE=5V*  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
50  
50  
20  
IC=10mA, VCE=5V  
IC=500mA, VCE=5V*  
IC=1A, VCE=5V*  
Transition  
Frequency  
fT  
30  
MHz  
pF  
IC=10mA, VCE=20V  
f=20MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
20  
VCB=20V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3-49  
1

中文翻译

下载PDF

与FXT655相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FXT655SM ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | SO
FXT655STOA ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 CO
FXT655STOB ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 CO
FXT655STOE ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,
FXT655STOE DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,
FXT655STOF DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,
FXT655STZ ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 CO
FXT657 ZETEX

获取价格

 		NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FXT657SM ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SO
FXT657STOB ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

与FXT655相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证