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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FXT653STOB
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FXT653STOB

更新时间： 2024-11-19 13:07:55
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 32K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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FXT653STOB 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.16
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PSIP-W3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

FXT653STOB 数据手册

  
NPN SILICON PLANAR  
FXT653  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 1 – MARCH 94  
FEATURES  
*
*
*
*
100 Volt VCEO  
2 Amps continuous current  
Low saturation voltage  
Ptot= 1 Watt  
B
C
E
E-Line  
REFER TO ZTX653 FOR GRAPHS  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
120  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
100  
V
5
V
Peak Pulse Current  
6
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
2
1
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
TYP.  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO 120  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=100µA, IE=0  
IC=10mA, IB=0*  
IE=100µA, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
100  
5
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
0.1  
10  
VCB=100V, IE=0  
VCB=100V,T  
µA  
µA  
=100°C  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
0.1  
VEB=4V, IC=0  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
0.13  
0.23  
0.3  
0.5  
V
V
IC=1A, IB=100mA*  
IC=2A, IB=200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
0.9  
1.25  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
0.8  
1
V
IC=1A, VCE=2V*  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
70  
100  
55  
200  
200  
110  
55  
IC=50mA, VCE=2V*  
IC=500mA, VCE=2V*  
IC=1A, VCE=2V*  
300  
30  
25  
IC=2A, VCE=2V*  
Transition  
Frequency  
fT  
140  
175  
MHz  
pF  
IC=100mA, VCE=5V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3-48  
1

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