FXT653SMTA

更新时间： 2024-11-19 13:07:55

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管局域网
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描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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FXT653SMTA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

FXT653SMTA 数据手册

NPN SILICON PLANAR

FXT653

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

100 Volt V_CEO

2 Amps continuous current

Low saturation voltage

P_tot= 1 Watt

E-Line

REFER TO ZTX653 FOR GRAPHS

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

120

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

TYP.

PARAMETER

SYMBOL MIN.

V_(BR)CBO120

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C=100µA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0*

I_E=100µA, I_C=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

100

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

0.1

V_CB=100V, I_E=0

V_CB=100V,T

µA

=100°C

Emitter Cut-Off Current I_EBO

0.1

V_EB=4V, I_C=0

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

0.13

0.23

0.3

0.5

I_C=1A, I_B=100mA*

I_C=2A, I_B=200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

0.9

1.25

I_C=1A, I_B=100mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

0.8

IC=1A, V_CE=2V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

100

200

110

I_C=50mA, V_CE=2V*

I_C=500mA, V_CE=2V*

I_C=1A, V_CE=2V*

300

I_C=2A, V_CE=2V*

Transition

Frequency

f_T

140

175

MHz

I_C=100mA, V_CE=5V

f=100MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%

3-48

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