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FXT605

更新时间： 2024-11-18 22:32:15
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关局域网
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1页 32K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR

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FXT605 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.16Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：500
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

FXT605 数据手册

  
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
DARLINGTON TRANSISTOR  
ISSUE 1 – SEPT 93  
FXT605  
FEATURES  
*
*
*
120 Volt VCEO  
Gain of 2K at IC=1 Amp  
Ptot= 1 Watt  
APPLICATIONS  
B
C
E
*
*
Lamp, solenoid and relay drivers  
Replacement of TO126 and TO220 packages  
REFER TO ZTX605 FOR GRAPHS  
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
140  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
120  
V
10  
V
Peak Pulse Current  
4
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
1
1
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
TYP.  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO 140  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=100µA, IE=0  
IC=10mA, IB=0*  
IE=100µA, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
120  
10  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
0.01  
10  
V
V
CB=120V, IE=0  
CB=120V,T  
µA  
µA  
=100°C  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
0.1  
10  
V
EB=8V, IC=0  
µA  
µA  
Colllector-Emitter  
Cut-Off Current  
ICES  
VCES=120V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
1.0  
1.5  
V
V
IC=0.25A, IB=0.25mA*  
IC=1A, IB=1mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
1.8  
V
IC=1A, IB=1mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
1.7  
V
IC=1A, VCE=5V*  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
2000  
5000  
2000  
500  
IC=50mA, VCE=5V*  
IC=500mA, VCE=5V*  
IC=1A, VCE=5V*  
100K  
IC=2A, VCE=5V*  
Transition  
Frequency  
fT  
150  
MHz  
IC=100mA, VCE=10V  
f=20MHz  
* Measured under pulse conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3-44  
1

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