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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.33 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.032 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX50KMJ-06-A8 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX50KMJ2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
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| FX50KMJ-2 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX50KMJ-2 | POWEREX |
获取价格 |
Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FX50KMJ-2 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
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| FX50KMJ-2-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET |
|
| FX50SM-03 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FX50SM06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-247VAR |
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| FX50SM-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FX50SM2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-247VAR |
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