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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T40 | 长度： | 50.8 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 40 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -30 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称供电电压： | 12 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 电信集成电路类型： | TELECOM CIRCUIT | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX508 | SANYO |
获取价格 |
High-Current Switching Applications |
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| FX509 | SANYO |
获取价格 |
High-Current Switching Applications |
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| FX50KM-03 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FX50KM06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
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| FX50KM2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
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| FX50KM-2 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| FX50KMH03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
|
| FX50KMH-03 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0385ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| FX50KMH06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
|
| FX50KMH-06 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0211ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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