是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SINGLE | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.1 V | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 90 A | 元件数量: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 4 A |
最大重复峰值反向电压: | 50 V | 最大反向恢复时间: | 0.03 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FX3PFT1 | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Element, 4A, 100V V(RRM), | |
FX3PFT2 | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G83, 2 PIN | |
FX3PFT2SM | SEMTECH |
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暂无描述 | |
FX3SM3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247VAR | |
FX3SMH3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247VAR | |
FX3SMJ3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247VAR | |
FX3SMJ-3 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
FX3UM06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB | |
FX3UM-06 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.54ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
FX3UM2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |