FX30KMJ-03

更新时间： 2024-10-30 07:00:43

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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FX30KMJ-03 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.061 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FX30KMJ-03 数据手册

FX30KMJ-03

High-Speed Switching Use

Pch Power MOS FET

REJ03G0260-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

Drive voltage : 4 V

_DSS: – 30 V

_{DS(ON) (max)}: 61 mΩ

I_D: – 30 A

Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns

Outline

TO-220FN

1. Gate

2. Drain

3. Source

Applications

Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

–30

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

±20

V_DS= 0 V

–30

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Source current

I_DM

–120

I_DA

–30

L = 10 µH

I_S

–30

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Isolation voltage

I_SM

–120

P_D

°C

Tch

Tstg

Viso

– 55 to +150

2000

AC 1 minute,

Terminal to case

Mass

—

2.0

Typical value

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6

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