FX20KMJ-2

更新时间： 2024-11-19 07:00:43

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
7页	174K
描述
High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FX20KMJ-2 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.32 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FX20KMJ-2 数据手册

FX20KMJ-2

High-Speed Switching Use

Pch Power MOS FET

REJ03G1443-0200

(Previous: MEJ02G0282-0101)

Rev.2.00

Aug 07, 2006

Features

•

Drive voltage : 4 V

_DSS: – 100 V

_{DS(ON) (max)}: 0.26 Ω

I_D: – 20 A

Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns

Viso : 2000 V

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003AB-A

(Package name: TO-220FN)

1. Gate

2. Drain

3. Source

Applications

Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

–100

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

±20

V_DS= 0 V

–20

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed)

Source current

I_DM

–80

I_DA

–20

L = 50 µH

I_S

–20

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Isolation voltage

I_SM

–80

P_D

°C

Tch

Tstg

Viso

– 55 to +150

2000

AC for 1 minute,

Terminal to case

Mass

—

2.0

Typical value

Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与FX20KMJ-2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FX20KMJ-2-A8	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX20KMJ3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| SOT-186
FX20KMJ-3	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX20KMJ-3	POWEREX	获取价格	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FX20KMJ-3	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX20KMJ-3-A8	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET
FX20SM-03	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FX20SM06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-247VAR
FX20SM2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-247VAR
FX20SM3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-247VAR