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2SC3947

更新时间: 2024-02-11 04:49:34
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富士通 - FUJITSU 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 358K
描述
Silicon High Speed Power Transistor

2SC3947 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PF
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
其他特性:RING EMITTER TRANSISTOR外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:500 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:70 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):20 MHz
最大关闭时间(toff):3300 nsVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SC3947 数据手册

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