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2SC3847

更新时间: 2024-02-19 03:37:40
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富士通 - FUJITSU 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 331K
描述
Silicon High Speed Power Transistor

2SC3847 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PF
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:RING EMITTER TRANSISTOR
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:800 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:85 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHz最大关闭时间(toff):3800 ns
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2SC3847 数据手册

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