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2SC3178

更新时间: 2024-02-12 21:51:32
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富士通 - FUJITSU 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
20页 643K
描述
Silicon High Speed Power Transistor

2SC3178 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:RING EMITTER TRANSISTOR
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:850 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:60 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz
最大关闭时间(toff):3800 nsVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

2SC3178 数据手册

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