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2SC2920

更新时间: 2024-02-04 09:38:25
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富士通 - FUJITSU 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 527K
描述
SILICON HIFH SPEED POWER TRANSISTOR

2SC2920 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
Is Samacsys:N其他特性:RING EMITTER TRANSISTOR
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:150 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
最大关闭时间(toff):3300 nsVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SC2920 数据手册

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