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2SC2526

更新时间: 2024-01-15 11:52:06
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富士通 - FUJITSU 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 159K
描述
SILICON HIGH SPEED POWER TRANSISTOR

2SC2526 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
Is Samacsys:N其他特性:RING EMITTER TRANSISTOR
最大集电极电流 (IC):12 A基于收集器的最大容量:300 pF
集电极-发射极最大电压:160 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:120 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzVCEsat-Max:1.8 V
Base Number Matches:1

2SC2526 数据手册

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