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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SJ475-01
2SJ475-01 PDF预览

2SJ475-01

更新时间： 2024-01-24 09:34:08
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 300K
描述
FAP-III Series

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2SJ475-01 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：25 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL功耗环境最大值：50 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：430 ns
最大开启时间（吨）：145 nsBase Number Matches：1

2SJ475-01 数据手册

 浏览型号2SJ475-01的Datasheet PDF文件第2页 
P-channel MOS-FET  
2SJ475-01  
FAP-III Series  
-60V 0,06W 25A  
50W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Forward Transconductance  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
- DC-DC converters  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
V
-60  
DS  
I
25  
100  
A
D
I
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
±20  
V
GS  
Maximum Avalanche Energy  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
E
325,9  
50  
mJ  
W
°C  
°C  
AV  
P
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
-60  
Typ.  
-1,5  
Max.  
Unit  
V
ID=-1mA  
ID=-1mA  
VDS=-60V  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
-1,0  
-2,5  
-500  
-1,0  
100  
V
GS(th)  
I
-10  
-0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
DSS  
V
GS=0V  
VGS=±20V  
ID=-12,5A  
ID=-12,5A  
ID=-12,5A  
Gate Source Leakage Current  
I
GSS  
VGS=-4V  
VGS=-10V  
VDS=-25V  
Drain Source On-State Resistance  
R
0,08  
0,045  
15  
0,11  
0,06  
DS(on)  
W
S
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
7,5  
fs  
VDS=-25V  
C
2000  
700  
450  
15  
3000  
1050  
680  
25  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=-30V  
ID=-25A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
d(on)  
t
80  
120  
290  
140  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=-10V  
RGS=10 W  
t
190  
90  
d(off)  
t
f
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L=100µH  
-25  
AV  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
-2,0  
160  
0,9  
-3,0  
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
75  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
2,50 °C/W  
th(ch-c)  
Collmer Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX -75370 - 972-233-1589 - FAX 972-233-0481 - http://www.collmer.com  
12

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