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2DI75M-120

更新时间: 2024-02-03 15:39:06
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 153K
描述
POWER TRANSISTER MODULE

2DI75M-120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
针数:7Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE):750JESD-30 代码:R-PUFM-X7
元件数量:2端子数量:7
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:500 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):18000 ns
最大开启时间(吨):3500 nsBase Number Matches:1

2DI75M-120 数据手册

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