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2DI75M-050

更新时间: 2024-02-03 13:48:37
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 173K
描述
POWER TRANSISTOR MODULE

2DI75M-050 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE):750JESD-30 代码:R-PUFM-X7
元件数量:2端子数量:7
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:350 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):11000 ns
最大开启时间(吨):3000 nsBase Number Matches:1

2DI75M-050 数据手册

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