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2DI50D-050A

更新时间: 2024-02-14 22:54:49
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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2页 102K
描述
POWER TRANSISTOR MODULE

2DI50D-050A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3
针数:7Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE):100最大降落时间(tf):4000 ns
JESD-30 代码:R-XUFM-X3元件数量:2
端子数量:3封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:310 W
最大功率耗散 (Abs):310 W认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):3000 ns子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):16000 ns
最大开启时间(吨):3000 nsBase Number Matches:1

2DI50D-050A 数据手册

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