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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 最大降落时间（tf）： | 4000 ns | JESD-30 代码： | R-XUFM-X3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 250 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 3000 ns |
| 子类别： | BIP General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 16000 ns | 最大开启时间（吨）： | 3000 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2DI30D-050A | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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| 2DI30D100 | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
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| 2DI30M-050 | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 30A I(C) |
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| 2DI30MA050 | FUJI | Transistor |
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| 2DI30Z-100 | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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| 2DI30Z-120 | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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