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2DI150Z-120

更新时间: 2024-01-26 19:23:35
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管开关局域网
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2页 107K
描述
POWER TRANSISTOR MODULE

2DI150Z-120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9
针数:15Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):150 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:COMPLEX最小直流电流增益 (hFE):100
最大降落时间(tf):2000 nsJESD-30 代码:R-PUFM-X9
元件数量:1端子数量:9
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:1000 W
最大功率耗散 (Abs):1000 W认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):3000 ns子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):17000 ns
最大开启时间(吨):3000 nsVCEsat-Max:2.8 V
Base Number Matches:1

2DI150Z-120 数据手册

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