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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 |
| 针数： | 15 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 150 A | 集电极-发射极最大电压： | 1000 V |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 最大降落时间（tf）： | 2000 ns | JESD-30 代码： | R-XUFM-X3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 1000 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1000 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 2500 ns | 子类别： | BIP General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 14000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 2500 ns | VCEsat-Max： | 2.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2DI150Z-120 | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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| 2DI150Z140 | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.4KV V(BR)CEO | 150A I(C) |
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| 2DI150Z-140 | FUJI | Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1400V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
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| 2DI200A020 | ETC | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 300V V(BR)CEO | 200A I(C) |
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| 2DI200A-020 | ETC |
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| 2DI200A-050 | FUJI | POWER TRANSISTOR MODULE |
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