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1DI30MA-050

更新时间: 2024-02-02 05:16:35
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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1页 60K
描述
POWER TRANSISTOR MODULE

1DI30MA-050 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):30 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):750
JESD-30 代码:R-PUFM-X3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:200 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):10000 ns
最大开启时间(吨):3000 nsBase Number Matches:1

1DI30MA-050 数据手册

  

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