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FT2000AA_10

更新时间： 2022-11-05 11:52:19

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德欧泰克 - DIOTEC		二极管
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Superfast Silicon Rectifiers - Single Diode / Two Polarities

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FT2000AA_10 数据手册

FT2000AA ... FT2000KG

Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities

Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten

Version 2010-03-31

Nominal current

Nennstrom

20 A

50...400 V

TO-220AC

1.8 g

10.1^±0.3

1.2^±0.2

Ø 3.8^±0.2

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

4.5^±0.2

Type

Typ

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Weight approx.

Gewicht ca.

2.67^±0.2

0.42^±0.4

1.3^±0.1

0.8^±0.2

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

5.08^±0.1

Standard packaging in tubes

Standard Lieferform in Stangen

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Type / Typ

Repet. peak reverse voltage Surge peak reverse volt.

Period. Spitzensperrspanng. Stoßspitzensperrspanng.

Forward voltage

Durchlass-Spannung

V_F[V] ¹)

Polarity / Polarität

V_RRM[V]

V_RSM[V]

I_F= 5 A

I_F= 20 A

(Standard) (Reverse)

FT2000KA

FT2000KB

FT2000AA

FT2000AB

100

200

400

100

200

400

< 0.84

< 0.96

FT2000KD FT2000AD

FT2000KG FT2000AG

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_C= 100°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FAV

I_FRM

I_FSM

i²t

20 A

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

80 A ²)

375/390 A

680 A²s

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

T_j

-50...+150°C

+200°C

in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

-50...+175°C

T_j= 25°C

Max. temperature of the case T_C= 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses T_C= 100°C

http://www.diotec.com/

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