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FSS239

更新时间： 2024-11-22 21:55:59
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 32K
描述
Load Switching Applications

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FSS239 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.45Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FSS239 数据手册

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Ordering number : ENN6582  
N-Channel Silicon MOSFET  
FSS239  
Load Switching Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit : mm  
•
Low ON resistance.  
• 2.5V drive.  
2185  
[FSS239]  
8
5
1 : No Contact  
2 : Source  
3 : Source  
4 : Gate  
1
4
0.2  
5.0  
5 : Drain  
6 : Drain  
7 : Drain  
8 : Drain  
1.27  
0.595  
0.43  
SANYO : SOP8  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
20  
±10  
7
V
V
DSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
GSS  
I
A
D
Drain Current (Pulse)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
52  
A
DP  
P
Mounted on a ceramic board (1000mm2✕0.8mm)  
1.8  
150  
W
°C  
°C  
D
Tch  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
20  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=1mA, V =0  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
D GS  
I
V
V
V
V
=20V, V =0  
GS  
1
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
=±8V, V =0  
DS  
±10  
V (off)  
GS  
=10V, I =1mA  
0.4  
1.3  
D
Forward Transfer Admittance  
|yfs|  
=10V, I =7A  
10.9  
15.5  
S
D
R
(on)1  
I
=7A, V =4V  
GS  
24  
29  
32  
42  
mΩ  
mΩ  
DS  
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
R
DS  
(on)2  
I
D
=2A, V =2.5V  
GS  
Marking : S239  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
52600 TS IM TA-2977  
No.6582-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FSS23A0D INTERSIL

获取价格

 		9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
FSS23A0D1 FAIRCHILD

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FSS23A0D1 INTERSIL

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 		9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
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