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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> FSD20A60
FSD20A60 PDF预览

FSD20A60

更新时间： 2024-11-11 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
SANREX 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
THYRISTOR MODULE (SINGLE PHASE BRIDGE TYPE)

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FSD20A60 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
配置：BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE最大直流栅极触发电流：40 mA
最大直流栅极触发电压：1.2 V快速连接描述：2G-2AK-CA-CK
螺丝端子的描述：0最大维持电流：30 mA
最大漏电流：5 mA通态非重复峰值电流：200 A
最大通态电流：20000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-30 °C重复峰值反向电压：600 V
子类别：Silicon Controlled RectifiersBase Number Matches：1

FSD20A60 数据手册

 浏览型号FSD20A60的Datasheet PDF文件第2页 
（SINGLE PHASE BRIDGE TYPE）  
THYRISTOR MODULE  
FSD20A30/60  
UL:E76102（M）  
FSD20A is a single phase bridge module consist of thyristors and diodes  
●
D
RRM  
I =20A, V =600V  
62.0  
48.0  
● Easy Construction  
● Highly reliable glass passivated chips  
26.1±0.5  
φ5.2×6.2  
G1  
－�  
AC1  
AC2  
（Applications）  
Rectification (Bridge)  
Motor Drive  
＋�  
G2  
250TAB（t＝0.8）�  
+
G1  
G2  
AC1  
AC2  
-
Unit：  
A
■Maximum Ratings  
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）  
Ratings  
Symbol  
Item  
Unit  
FSD20A30  
300  
FSD20A60  
RRM  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
600  
600  
V
V
DRM  
V
300  
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
Unit  
A
(AV)  
IT  
Average On-State Current  
20  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：65℃  
1
TSM  
I
Surge On-State Current  
A
／cycle, 50Hz/60Hz, peak value, non-repetitive  
180 200  
/
2
2
2
2
I t  
I t  
165  
10  
1
A S  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
W
W
A
G（AV）  
P
FGM  
I
3
FGM  
V
Peak Gate Voltage (Forward)  
Peak Gate Voltage (Reverse)  
Critical Rate of On-State Current  
Isolation Breakdown Voltage (R.M.S.)  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
10  
5
V
RGM  
V
V
1
G
D
DRM  
G
100  
2500  
di／dt  
I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝／V ，dI dt＝1A μs  
A μs  
/
/
/
2
ISO  
V
A.C.1minute  
V
℃
℃
Tj  
－30 to ＋125  
－30 to ＋125  
Tstg  
N･ｍ  
（㎏f･B）  
Mounting Torque（M5）  
Recommended Value 1.5-2.5（15-25）  
2.7（28）  
Mass  
66  
g
■Electrical Characteristics  
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
Unit  
mA  
mA  
V
DRM  
I
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current/Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
Turn On Time, max.  
DRM  
5
5
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
RRM  
I
DRM  
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
TM  
V
1.5  
On-State Current 30A, Tj＝25℃ Inst. measurement  
GT  
GT  
T
D
I ／V  
Tj＝25℃，I ＝1A，V ＝6V  
40 1.2  
mA V  
/
/
1
GD  
V
D
DRM  
0.2  
10  
V
Tj＝125℃，V ＝／V  
2
1
tgt  
T
G
D
DRM  
G
/
I ＝10A，I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝／V ，dI dt＝1A μs  
μs  
/
2
2
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Holding Current, typ.  
D
DRM  
50  
dv／dt  
Tj＝125℃, V ＝／V , Exponential wave.  
V μs  
/
3
H
I
30  
mA  
Tj＝25℃  
Thermal Impedance, max.  
Junction to case  
1.0  
Rth（j-c）  
℃ W  
/
SanRex  
®
50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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