5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220FN | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 70 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 35 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS70KM-06-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS70KM2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 70A I(D) | SOT-186 |
|
| FS70KM-2 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS70KM-2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS70KM-2 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS70KM-2-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS70KMH03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | SOT-186 |
|
| FS70KMH-03 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS70KMH06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 70A I(D) | SOT-186 |
|
| FS70KMH2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 70A I(D) | SOT-186 |
|
共享储能电站：数据驱动与政策引领下的黄金机遇
US1M数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
