FS50KM-06

更新时间： 2024-01-16 00:54:39

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

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FS50KM-06 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220FN	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	30 W
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS50KM-06 数据手册

FS50KM-06

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G1417-0200

(Previous: MEJ02G0092-0101)

Rev.2.00

Aug 07, 2006

Features

•

Drive voltage : 10 V

_DSS: 60 V

_{DS(ON) (max)}: 22 mΩ

I_D: 50 A

Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 65 ns

Viso : 2000 V

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003AB-A

(Package name: TO-220FN)

1. Gate

2. Drain

3. Source

Applications

Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

±20

V_DS= 0 V

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed)

Source current

I_DM

200

I_DA

L = 100 µH

I_S

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Isolation voltage

I_SM

200

P_D

°C

Tch

Tstg

Viso

– 55 to +150

2000

AC for 1 minute,

Terminal to case

Mass

—

2.0

Typical value

Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6

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