Datasheet > FS50ASJ-03F-T13

FS50ASJ-03F-T13

更新时间： 2024-11-20 07:00:11

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关
页数	文件大小	规格书
7页	104K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FS50ASJ-03F-T13 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	MP-3A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.019 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS50ASJ-03F-T13 数据手册

FS50ASJ-03F

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G0238-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

Drive Voltage : 4V

V_DSS: 30 V

_{DS(ON) (max)}: 12.2 mΩ

I_D: 50 A

Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns

Outline

MP-3A

2, 4

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Applications

Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25 °C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

±20

V_DS= 0 V

Drain current (Pulse)

Avalanche current (Pulse)

Source current

I_DM

200

I_DA

L = 6 µH

I_S

Source current (Pulse)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SM

200

P_D

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to + 150

0.32

Typical value

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与FS50ASJ-03F-T13相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS50ASJ-03-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS50KM03	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| SOT-186
FS50KM-03	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS50KM06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| SOT-186
FS50KM-06	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS50KM-06	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS50KM-06	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS50KM-06-A8	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS50KM2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| SOT-186
FS50KM-2	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE