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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS50KM03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
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| FS50KM-03 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS50KM06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
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| FS50KM-06 | POWEREX |
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Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS50KM-06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS50KM-06 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS50KM-06-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS50KM2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
|
| FS50KM-2 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS50KM-2 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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