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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS50ASJ-03F | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS50ASJ-03F-T13 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS50ASJ-03-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS50KM03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
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| FS50KM-03 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FS50KM06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186 |
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| FS50KM-06 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS50KM-06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS50KM-06 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS50KM-06-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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