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FS20R06VE3B2BOMA1

更新时间： 2024-09-26 14:50:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	426K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-15

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FS20R06VE3B2BOMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	8.36	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	COMPLEX	JESD-30 代码：	R-XUFM-X15
元件数量：	6	端子数量：	15
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	250 ns
标称接通时间 (ton)：	32 ns	Base Number Matches：	1

FS20R06VE3B2BOMA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS20R06VE3_B2

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

600

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 75°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175

71,5

+/-20

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 20 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,55 2,00

1,70

1,80

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 0,30 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

4,9

5,8

0,20

0,0

1,10

0,034

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 600 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 20 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 18 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,015

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 20 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 18 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,013

0,016

0,017

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 20 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 18 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,12

0,14

0,15

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 20 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 18 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,07

0,095

0,10

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 20 A, V_CE= 300 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 18 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,32

0,44

0,49

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 20 A, V_CE= 300 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 18 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,45

0,56

0,59

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 360 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

t_P≤ 8 µs, T_vj= 25°C

t_P≤ 6 µs, T_vj= 150°C

140

100

I_SC

ꢀ

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

1,90 2,10 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,85

K/W

°C

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

preparedꢀby:ꢀDPK

approvedꢀby:ꢀRK

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

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与FS20R06VE3B2BOMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS20R06VE3BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-13
FS20R06W1E3	INFINEON	获取价格	EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
FS20R06W1E3_B11	INFINEON	获取价格	EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT /
FS20R06W1E3BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22
FS-20SCBE100R0JE	VISHAY	获取价格	RES 100 OHM 20W 5% WW RAD
FS-20SCBE10R00JE	VISHAY	获取价格	RES 10 OHM 20W 5% WW RAD
FS-20SCBE1K000JE	VISHAY	获取价格	RES 1.0K OHM 20W 5% WW RAD
FS-20SCBE1R000JE	VISHAY	获取价格	RES 1.0 OHM 20W 5% WW RAD
FS-20SCBE250R0JE	VISHAY	获取价格	RES 250 OHM 20W 5% WW RAD
FS-20SCBE25R00JE	VISHAY	获取价格	RES 25 OHM 20W 5% WW RAD

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