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FS20KM-6A-A8

更新时间: 2024-11-11 20:10:59
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 97K
描述
20A, 300V, 0.26ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220FN, 3 PIN

FS20KM-6A-A8 技术参数

生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220FN, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.34外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:300 V
最大漏极电流 (ID):20 A最大漏源导通电阻:0.26 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FS20KM-6A-A8 数据手册

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FS20KM-6A  
High-Speed Switching Use  
Nch Power MOS FET  
REJ03G0258-0100  
Rev.1.00  
Aug.20.2004  
Features  
Drive voltage : 10 V  
VDSS : 300 V  
r
DS(ON) (max) : 0.26  
ID : 20 A  
Outline  
TO-220FN  
2
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
1
1
2
3
3
Applications  
PDP, lamp ballast, DC-DC converters  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
Conditions  
300  
V
V
VGS = 0 V  
±30  
VDS = 0 V  
20  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Mass  
IDM  
60  
20  
A
IDA  
A
L = 200 µH  
PD  
35  
W
°C  
°C  
g
Tch  
Tstg  
– 55 to +150  
– 55 to +150  
2.0  
Typical value  
Isolation voltage  
Viso  
2000  
Vrms  
AC 1 minute,  
Terminal to case  
Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6  

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