捷配首页

Datasheet > FS200R07N3E4RBOSA1
FS200R07N3E4RBOSA1 PDF预览

FS200R07N3E4RBOSA1

更新时间： 2025-07-19 19:50:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 673K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

阅读下载

中文翻译

获取价格

FS200R07N3E4RBOSA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35针数：35
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：2.11
集电极-发射极最大电压：650 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X35元件数量：6
端子数量：35封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：450 ns标称接通时间 (ton)：210 ns
Base Number Matches：1

FS200R07N3E4RBOSA1 数据手册

 浏览型号FS200R07N3E4RBOSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FS200R07N3E4RBOSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FS200R07N3E4RBOSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FS200R07N3E4RBOSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FS200R07N3E4RBOSA1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FS200R07N3E4RBOSA1的Datasheet PDF文件第9页 
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS200R07N3E4R  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
IFꢀ=ꢀ200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
9
9
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
8
8
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
0
50  
100 150 200 250 300 350 400  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
IF [A]  
RG [Ω]  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)  
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)  
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)  
1
100000  
ZthJC : Diode  
Rtyp  
0,1  
10000  
1000  
100  
0,01  
i:  
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,027 0,1485 0,144 0,1305  
τi[s]:  
0,01 0,02  
0,05 0,1  
0,001  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
20  
40  
60  
80  
TC [°C]  
100 120 140 160  
preparedꢀby:ꢀAS  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.0  
7
1...456789

中文翻译

下载PDF

与FS200R07N3E4RBOSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS200R07N3E4R_B11 INFINEON

获取价格

 		EconoPACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT /
FS200R07PE4 INFINEON

获取价格

 		PressFIT
FS200R07PE4BOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-20
FS200R10W3S7_B11 INFINEON

获取价格

 		PressFIT
FS200R12KF4 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
FS200R12KT4R INFINEON

获取价格

 		IGBT-modules
FS200R12KT4RB11BOSA1 INFINEON

获取价格

 		元器件封装:模块;
FS200R12KT4RBOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 280A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FS200R12KT4RP_B11 INFINEON

获取价格

 		TIM
FS200R12KT4R_B11 INFINEON

获取价格

 		IGBT-modules

与FS200R07N3E4RBOSA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2025 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证