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FS200R07N3E4RBOSA1

更新时间： 2025-07-19 19:50:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 673K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

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FS200R07N3E4RBOSA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35针数：35
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：2.11
集电极-发射极最大电压：650 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X35元件数量：6
端子数量：35封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：450 ns标称接通时间 (ton)：210 ns
Base Number Matches：1

FS200R07N3E4RBOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS200R07N3E4R  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
16  
1
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
ZthJC : IGBT  
14  
12  
10  
8
0,1  
6
0,01  
4
i:  
1
2
3
4
2
ri[K/W]: 0,015 0,0825 0,08 0,0725  
τi[s]:  
0,01 0,02  
0,05 0,1  
0
0,001  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG [Ω]  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ2ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
480  
400  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
440  
400  
360  
320  
280  
240  
200  
160  
120  
80  
360  
320  
280  
240  
200  
160  
120  
80  
40  
40  
0
0
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
700  
0,0  
0,4  
0,8  
1,2  
1,6  
2,0  
VCE [V]  
VF [V]  
preparedꢀby:ꢀAS  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.0  
6
1...3456789

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与FS200R07N3E4RBOSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS200R07N3E4R_B11 INFINEON

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 		IGBT-modules
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 		元器件封装:模块;
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