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FS200R07N3E4RBOSA1 PDF预览

FS200R07N3E4RBOSA1

更新时间： 2025-07-19 19:50:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 673K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

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FS200R07N3E4RBOSA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35针数：35
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：2.11
集电极-发射极最大电压：650 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X35元件数量：6
端子数量：35封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：450 ns标称接通时间 (ton)：210 ns
Base Number Matches：1

FS200R07N3E4RBOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS200R07N3E4R  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
400  
400  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 19V  
VGE = 17V  
VGE = 15V  
VGE = 13V  
VGE = 11V  
VGE = 9V  
360  
320  
280  
240  
200  
160  
120  
80  
360  
320  
280  
240  
200  
160  
120  
80  
40  
40  
0
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ2ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
400  
16  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
360  
320  
280  
240  
200  
160  
120  
80  
14  
12  
10  
8
6
4
2
40  
0
5
0
6
7
8
9
10  
11  
12  
0
50  
100 150 200 250 300 350 400  
IC [A]  
VGE [V]  
preparedꢀby:ꢀAS  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.0  
5
123456789

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		元器件封装:模块;
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