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FS100R12KE3

更新时间： 2024-09-14 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	449K
描述
EconoPACK? 3 1200 V, 100 A sixpack IGBT module with TRENCHSTOP? IGBT3 and NTC.

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FS100R12KE3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35	针数：	35
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	140 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X35
元件数量：	6	端子数量：	35
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	480 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	610 ns	标称接通时间 (ton)：	340 ns
VCEsat-Max：	2.15 V	Base Number Matches：	1

FS100R12KE3 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KE3

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

100

140

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

200

480

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 100 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

2,00

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 4,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

0,90

7,5

7,10

0,30

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,26

0,29

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,03

0,05

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,42

0,52

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,07

0,09

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

10,0

12,0

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

400

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

T_{vj op}

ꢀ

0,26 K/W

125 °C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02

revision:ꢀ3.1

12 3 4 5 6 7 8

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FS100R12KE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FS75R12KE3G	INFINEON	功能相似	EconoPACK?3?1200 V, 75 A 六单元 IGBT 模块，采用第三代 IG
6MBI50VA-120-50	FUJI	功能相似	IGBT MODULE
6MBI50S-120L	FUJI	功能相似	IGBT(1200V/6x50A)

与FS100R12KE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS100R12KE3_03	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FS100R12KE3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FS100R12KS4	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FS100R12KS4	INFINEON	获取价格	EconoPACK™ 3 1200V 六单元 IGBT 模块，采用支持高频开关的第二代快速
FS100R12KT3	EUPEC	获取价格	IGBT-Module
FS100R12KT3	INFINEON	获取价格	EconoPACK?3 1200V 六单元 IGBT 模块，配备快速第三代沟槽栅 IGBT
FS100R12KT3_04	EUPEC	获取价格	EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FS100R12KT3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-35
FS100R12KT4	INFINEON	获取价格	EconoPACK2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode
FS100R12KT4_B11	INFINEON	获取价格	EconoPACK2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode

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