是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 其他特性: | RADIATION HARDENED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 23 A |
最大漏极电流 (ID): | 23 A | 最大漏源导通电阻: | 0.115 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-254AA |
JESD-30 代码: | S-MSFM-P3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 125 W |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 69 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 854 ns | 最大开启时间(吨): | 666 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FRF250R3 | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 200V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FRF250R4 | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 200V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FRF254D | INTERSIL |
获取价格 |
17A, 250V, 0.185 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs | |
FRF254D1 | RENESAS |
获取价格 |
17A, 250V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA | |
FRF254D2 | RENESAS |
获取价格 |
17A, 250V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA | |
FRF254D3 | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 250V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FRF254D4 | RENESAS |
获取价格 |
17A, 250V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA | |
FRF254H | INTERSIL |
获取价格 |
17A, 250V, 0.185 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs | |
FRF254H1 | RENESAS |
获取价格 |
17A, 250V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA | |
FRF254H2 | RENESAS |
获取价格 |
17A, 250V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |